Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 27

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяAPTGT400U120D4G Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT400U120D4G, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; D4" 1.

Код производителяAPTGT400U170D4G Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT400U170D4G, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; D4" 1.

Код производителяAPTGT450A60G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT450A60G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяAPTGT450DA60G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT450DA60G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 450А" 1.

Код производителяAPTGT450SK60G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT450SK60G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 450А" 1.

Код производителяAPTGT50A120T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50A120T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGT50A170T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50A170T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяAPTGT50A170TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 570.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50A170TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяAPTGT50DA120TG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50DA120TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP4" 1.

Код производителяAPTGT50DDA120T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50DDA120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGT50DDA60T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50DDA60T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGT50DH120TG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50DH120TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGT50DH170TG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50DH170TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGT50DH60T1G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50DH60T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGT50DU120TG Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50DU120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Код производителяAPTGT50H120T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3" 1.

Код производителяAPTGT50H170TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50H170TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP4" 1.

Код производителяAPTGT50H60RT3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50H60RT3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост,Н мост" 1.

Код производителяAPTGT50H60T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50H60T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGT50H60T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50H60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж