Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.51

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
MIXG490PF1200PTSF
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG490PF1200PTSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
51 565.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXG490PF1200PTSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MIXG490PF1200TSF
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG490PF1200TSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
47 780.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXG490PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MIXG70W1200TED
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG70W1200TED Обратное напряжение макс.1,2кВ
25 422.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXG70W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 79А" 1.

0.0
MKI100-12F8
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI100-12F8
40 747.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MKI100-12F8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; 640Вт" 1.

0.0
MKI50-06A7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-06A7
10 222.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MKI50-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; 225Вт" 1.

0.0
MKI50-06A7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-06A7T
7 663.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MKI50-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 50А" 1.

0.0
MKI50-12F7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-12F7
24 700.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MKI50-12F7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 45А" 1.

0.0
MKI65-06A7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMKI65-06A7T Обратное напряжение макс.0,6кВ
13 415.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MKI65-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; NPT" 1.

0.0
MKI75-06A7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI75-06A7
11 286.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MKI75-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; 280Вт" 1.

0.0
MKI75-06A7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI75-06A7T
11 935.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MKI75-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 60А" 1.

0.0
MMIX1G120N120A3V1
Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения1365нс Заряд затвора420нC КорпусSMPD
12 675.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMIX1G120N120A3V1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD" 1.

0.0
MMIX1G320N60B3
Вид упаковкитуба Время включения107нс Время выключения595нс Заряд затвора585нC КорпусSMPD
10 222.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMIX1G320N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD" 1.

0.0
MMIX1X100N60B3H1
Вид упаковкитуба Время включения92с Время выключения350нс Заряд затвора143нC КорпусSMPD
4 904.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMIX1X100N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD" 1.

0.0
MMIX1X200N60B3
Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD
7 699.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD" 1.

0.0
MMIX1X200N60B3H1
Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD
8 528.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD" 1.

0.0
MMIX1X340N65B4
Вид упаковкитуба Время включения119нс Время выключения346нс Заряд затвора553нC КорпусSMPD
9 195.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMIX1X340N65B4, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD" 1.

0.0
MMIX1Y100N120C3H1
Вид упаковкитуба Время включения122нс Время выключения265нс Заряд затвора0,27мкC КорпусSMPD
8 924.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMIX1Y100N120C3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD" 1.

0.0
MMIX4B22N300
Вид упаковкитуба Время включения743нс Время выключения1,87мкс Заряд затвора110нC КорпусSMPD
17 045.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMIX4B22N300, Транзистор: IGBT x4; BiMOSFET™; 3кВ; 22А; 150Вт; SMPD" 1.

0.0
MMIX4G20N250
Вид упаковкитуба Время включения217нс Время выключения1,066мкс Заряд затвора53нC КорпусSMPD
18 210.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMIX4G20N250, Транзистор: IGBT x4; 2,5кВ; 4А; 100Вт; SMPD; Топология: Н мост" 1.

0.0
MSCGL40X120T3AG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMSCGL40X120T3AG Обратное напряжение макс.1,2кВ
23 138.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MSCGL40X120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

0.0
MUBW10-06A6K
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW10-06A6K
4 814.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MUBW10-06A6K, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 8А" 1.

0.0
MUBW10-06A7
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW10-06A7
10 222.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MUBW10-06A7, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 15А" 1.

0.0
MUBW10-12A7
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW10-12A7
17 380.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MUBW10-12A7, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

0.0
MUBW100-06A8
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW100-06A8
18 750.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MUBW100-06A8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 85А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)
Хиты продаж