Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 54

Производитель
Вид упаковкитуба Время включения24нс Время выключения328нс Заряд затвора45нC КорпусTO247HV
5 164.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYH8N250CV1HV, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 8А; 280Вт; TO247HV" 1.

Вид упаковкитуба Время включения20нс Время выключения90нс Заряд затвора53нC КорпусTO247
2 959.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYJ20N120C3D1, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 21А; 105Вт; TO247" 1.

Вид упаковкитуба Время включения143нс Время выключения271нс Заряд затвора260C КорпусTO264
5 021.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYK100N120C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 100А; 1,15кВт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения346нс Заряд затвора412нC КорпусTO264
5 501.61 
Доступность: 29 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXYK120N120C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 120А; 1,5кВт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения122нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора330нC КорпусTO264
6 225.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYK140N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 140А; 1,63кВт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения170нс Время выключения700нс Заряд затвора340нC КорпусTO264
6 797.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYK200N65B3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 200А; 1,56кВт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения505нс Заряд затвора0,27мкC КорпусISOPLUS i5-pac™
22 658.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYL40N250CV1, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 40А; 577Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

Вид упаковкитуба Время включения724нс Время выключения1,58мкс Заряд затвора366нC КорпусISOPLUS i5-pac™
21 947.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYL60N450, Транзистор: IGBT; XPT™; 4,5кВ; 38А; 417Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3
7 895.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3H1
9 491.97 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65B3D1
6 593.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65C3H1
5 061.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN120N120C3
7 558.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN150N60B3
9 430.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN30N170CV1
6 997.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Время включения96нс Время выключения0,22мкс Заряд затвора142нC КорпусPLUS247™
3 204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYR50N120C3D1, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 32А; 290Вт; PLUS247™" 1.

Вид упаковкитуба Время включения60нс Время выключения0,22мкс Заряд затвора53нC КорпусTO268HV
2 632.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYT20N120C3D1HV, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 17А; 230Вт; TO268HV" 1.

Вид упаковкитуба Время включения51нс Время выключения525нс Заряд затвора147нC КорпусTO268HV
5 754.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYT25N250CHV, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 25А; 937Вт; TO268HV" 1.

Вид упаковкитуба Время включения59нс Время выключения0,12мкс Заряд затвора44нC КорпусTO268HV
2 367.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYT30N65C3H1HV, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 30А; 270Вт; TO268HV" 1.

Вид упаковкитуба Время включения134нс Время выключения201нс Заряд затвора145нC КорпусTO268
2 224.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYT80N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 80А; 830Вт; TO268" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж