Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.47

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
MDI75-12A3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI75-12A3
11 593.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDI75-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

0.0
MDMA210UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA210UB1600PTED
22 898.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDMA210UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

0.0
MDMA240UB1600ED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA240UB1600ED
25 062.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDMA240UB1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MDMA280UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA280UB1600PTED
25 422.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDMA280UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MDMA360UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA360UB1600PTED
29 207.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDMA360UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MDMA450UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA450UB1600PTED
32 093.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDMA450UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MDNA210UB2200PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA210UB2200PTED
20 192.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDNA210UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 28.

0.0
MDNA280UB2200PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA280UB2200PTED
36 961.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDNA280UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
MDNA360UB2200PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA360UB2200PTED
39 089.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDNA360UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
MG06100S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06100S-BN4MM
17 038.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG06100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
MG06150S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06150S-BN4MM
20 012.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG06150S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
MG06300D-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06300D-BN4MM
30 651.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG06300D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
MG06400D-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06400D-BN4MM
38 584.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG06400D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
MG0675S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG0675S-BN4MM
14 766.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG0675S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
MG100HF12MRC1-YAN
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100HF12MRC1
6 055.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG100UZ12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100UZ12GJ
4 379.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ" 1.

0.0
MG10P12P2-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG10P12P2
3 051.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А" 1.

0.0
MG12100S-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12100S-BN2MM
17 416.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG12150S-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150S-BN2MM
21 996.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG12150W-XN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage W Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150W-XN2MM
53 369.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12150W-XN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
MG12200D-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12200D-BN2MM
31 011.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12200D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG12300D-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12300D-BN2MM
48 140.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12300D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG15P12P2-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG15P12P2
3 747.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
MG17100S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG17100S-BN4MM
26 504.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG17100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)
Хиты продаж