Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 56

Производитель
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
228.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGS8206AUI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCMA240UI1600ED
25 716.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCMA240UI1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCMA240UI1600PED
25 716.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCMA240UI1600PED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCNA120UI2200PED
32 473.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCNA120UI2200PED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCNA120UI2200TED
29 656.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCNA120UI2200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI100-12A3
13 008.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDI100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI150-12A4
15 260.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDI150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI300-12A4
21 022.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDI300-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 220А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI550-12A4
45 048.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDI550-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 460А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI75-12A3
12 070.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDI75-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA210UB1600PTED
23 837.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDMA210UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA240UB1600ED
26 091.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDMA240UB1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA280UB1600PTED
26 466.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDMA280UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA360UB1600PTED
30 408.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDMA360UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA450UB1600PTED
32 957.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDMA450UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA210UB2200PTED
21 022.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDNA210UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 28.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA280UB2200PTED
38 479.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDNA280UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA360UB2200PTED
32 554.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDNA360UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06100S-BN4MM
17 738.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG06100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06150S-BN4MM
20 836.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG06150S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж