Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 50

Производитель
Вид упаковкитуба Время включения65нс Время выключения250нс Заряд затвора183нC КорпусTO264
4 053.77 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXXK110N65B4H1, Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 110А; 880Вт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения93нс Время выключения380нс Заряд затвора425нC КорпусTO264
3 674.16 
Доступность: 293 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXXK160N65B4, Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 160А; 940Вт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения52нс Время выключения197нс Заряд затвора422нC КорпусTO264
3 776.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXK160N65C4, Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 160А; 940Вт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусTO264
5 593.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXK200N60B3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 200А; 1,63кВт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения143нс Время выключения240нс Заряд затвора315нC КорпусTO264
5 593.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXK200N60C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 200А; 1,63кВт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения135нс Время выключения370нс Заряд затвора517нC КорпусTO264
4 817.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXK200N65B4, Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 200А; 1,63кВт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения137нс Время выключения430нс Заряд затвора460нC КорпусTO264
7 308.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXK300N60B3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 300А; 2,3кВт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения128нс Время выключения278нс Заряд затвора438нC КорпусTO264
7 308.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXK300N60C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 300А; 2,3кВт; TO264" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN100N60B3H1
6 573.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN100N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN110N65B4H1
5 037.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN110N65B4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN110N65C4H1
4 032.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 300.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60B3
7 796.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 160А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60B3H1
8 900.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60C3H1
8 083.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN200N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N65A4
4 643.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN200N65A4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Время включения44нс Время выключения245нс Заряд затвора34нC КорпусTO220-3
609.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXP12N65B4D1, Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 12А; 160Вт; TO220-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения75нс Время выключения320нс Заряд затвора70нC КорпусTO220-3
1 749.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXP50N60B3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 50А; 600Вт; TO220-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения57нс Время выключения292нс Заряд затвора39нC КорпусTO3PF
1 080.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXQ30N60B3M, Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 19А; 90Вт; TO3PF" 1.

Вид упаковкитуба Время включения92нс Время выключения350нс Заряд затвора143нC КорпусPLUS247™
4 654.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXR100N60B3H1, Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 100А; 400Вт; PLUS247™" 1.

Вид упаковкитуба Время включения65нс Время выключения250нс Заряд затвора183нC КорпусPLUS247™
4 620.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXR110N65B4H1, Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 70А; 455Вт; PLUS247™" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж