Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 58

Производитель
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG75U12GJ
4 497.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG75U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-U" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG75UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 497.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG75UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-UZ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID100-12A3
11 712.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID145-12A3
13 120.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID145-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y4-M5" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID150-12A4
31 158.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID200-12A4
31 158.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID200-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID300-12A4
35 852.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID300-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID550-12A4
47 865.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID550-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIEB100W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
25 528.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIEB100W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост MOSFET" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIEB101H1200EH
31 910.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIEB101H1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 128А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIEB101W1200EH
40 169.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIEB101W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 128А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII145-12A3
18 095.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII145-12A3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII200-12A4
39 793.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII200-12A4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII300-12A4
48 240.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII300-12A4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII75-12A3
12 763.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII75-12A3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack PFP Механический монтажвинтами Обозначение производителяMITA300RF1700PTED Обратное напряжение макс.1,7кВ
33 224.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MITA300RF1700PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Trench" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA100W1200TEH
33 599.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA100W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 108А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA101W1200EH
20 647.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA101W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост MOSFET; XPT™" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10W1200TML
4 297.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA10W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 12А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10WB1200TED
13 477.49 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "MIXA10WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 12А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж