Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 59

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10WB1200TML
5 510.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA10WB1200TML, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 12А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA150Q1200VA
7 715.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA150Q1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA150R1200VA
7 532.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA150R1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; 695Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA150W1200TEH
44 907.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA150W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA151W1200EH
29 802.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA151W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA20W1200TML
6 266.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA20W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA20WB1200TED
18 004.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA20WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA20WB1200TML
7 205.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA20WB1200TML, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA225PF1200TSF
31 640.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA225PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA225RF1200TSF
13 963.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA225RF1200TSF, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA300PF1200TSF
36 335.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA300PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA30W1200TED
15 431.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA30W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA30W1200TML
6 940.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA30W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA30WB1200TED
17 370.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA30WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA40W1200TED
12 995.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA40W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA40W1200TML
7 899.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA40W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA40WB1200TED
18 645.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA40WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXA41W1200ED Обратное напряжение макс.1,2кВ
21 025.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA41W1200ED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA450PF1200TSF
44 704.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA450PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA600PF650TSF
24 495.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA600PF650TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж