Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 60

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60HU1200VA
6 552.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60HU1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,buck chopper; 290Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60W1200TED
20 065.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60WB1200TEH
19 747.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60WH1200TEH
30 007.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60WH1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA61H1200ED
19 289.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA61H1200ED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXA61WB1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
28 577.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA61WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; XPT™" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80R1200VA
5 796.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80R1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXA80W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
35 314.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80W1200TED
23 066.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80W1200TEH
26 945.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80WB1200TEH
28 794.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA81H1200EH
25 922.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA81H1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA81WB1200TEH
32 661.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA81WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG120W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
42 661.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG120W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG120W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
42 661.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG120W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG180W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
53 684.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG180W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 195А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG180W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
53 684.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG180W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 195А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack PFP Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240RF1200PTED Обратное напряжение макс.1,2кВ
15 431.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240RF1200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; X2PT" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
63 074.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 233А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200PZTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
67 361.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200PZTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж