Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 61

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
63 074.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 233А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG300PF1700TSF Обратное напряжение макс.1,7кВ
51 848.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG300PF1700TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG330PF1200PTSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
43 886.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG330PF1200PTSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG330PF1200TSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
43 886.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG330PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG450PF1700TSF Обратное напряжение макс.1,7кВ
62 258.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG450PF1700TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG490PF1200PTSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
58 379.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG490PF1200PTSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG490PF1200TSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
54 093.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG490PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG70W1200TED Обратное напряжение макс.1,2кВ
28 781.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG70W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 79А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI100-12F8
46 133.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI100-12F8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; 640Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-06A7
11 573.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI50-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; 225Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-06A7T
8 674.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI50-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-12F7
27 966.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI50-12F7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 45А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMKI65-06A7T Обратное напряжение макс.0,6кВ
15 186.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI65-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; NPT" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI75-06A7
12 777.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI75-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; 280Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI75-06A7T
13 512.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI75-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 60А" 1.

Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения1365нс Заряд затвора420нC КорпусSMPD
14 349.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1G120N120A3V1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения107нс Время выключения595нс Заряд затвора585нC КорпусSMPD
11 573.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1G320N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения92с Время выключения350нс Заряд затвора143нC КорпусSMPD
5 552.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X100N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD
8 716.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD
9 654.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж