Транзисторы и модули IGBT | купить в розницу и оптом

MG06400D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

0.0

КОД:

MG06400D-BN4MM

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06400D-BN4MM

44 575⁷⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG06400D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

MG0675S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

0.0

КОД:

MG0675S-BN4MM

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG0675S-BN4MM

17 060⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG0675S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

MG100HF12MRC1-YAN

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100HF12MRC1

7 616⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ

0.0

КОД:

MG100UZ12GJ-YAN

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100UZ12GJ

5 508⁵² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ" 1.

MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А

0.0

КОД:

MG10P12P2-YAN

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG10P12P2

3 838⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А" 1.

MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

MG12100S-BN2MM

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12100S-BN2MM

20 121²¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

MG12150S-BN2MM

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150S-BN2MM

25 412⁸⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG12150W-XN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А

0.0

КОД:

MG12150W-XN2MM

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage W Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150W-XN2MM

61 655³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG12150W-XN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

MG12200D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

MG12200D-BN2MM

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12200D-BN2MM

35 827⁶⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG12200D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG12300D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

MG12300D-BN2MM

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12300D-BN2MM

55 616⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG12300D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А

0.0

КОД:

MG15P12P2-YAN

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG15P12P2

4 713⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

MG17100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

MG17100S-BN4MM

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG17100S-BN4MM

30 619³² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG17100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

MG1750S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

MG1750S-BN4MM

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG1750S-BN4MM Обратное напряжение макс.1,7кВ

20 558⁷¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG1750S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

MG1775S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

MG1775S-BN4MM

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG1775S-BN4MM

25 412⁸⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG1775S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

MG200HF12MRC2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

MG200HF12MRC2-YAN

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG200HF12MRC2

14 616⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG200HF12MRC2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG25P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А

0.0

КОД:

MG25P12P3-YAN

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG25P12P3

6 423³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG25P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

MG35P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А

0.0

КОД:

MG35P12P3-YAN

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG35P12P3

8 153⁴¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG35P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

MG50U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-U

0.0

КОД:

MG50U12GJ-YAN

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG50U12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ

5 508⁵² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG50U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-U" 1.

MG50UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-UZ

0.0

КОД:

MG50UZ12GJ-YAN

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG50UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ

5 508⁵² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG50UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-UZ" 1.

MG75U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-U

0.0

КОД:

MG75U12GJ-YAN

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG75U12GJ

5 508⁵² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG75U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-U" 1.

MG75UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-UZ

0.0

КОД:

MG75UZ12GJ-YAN

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG75UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ

5 508⁵² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MG75UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-UZ" 1.

MID100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А

0.0

КОД:

MID100-12A3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID100-12A3

12 998¹¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MID100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А" 1.

MID145-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y4-M5

0.0

КОД:

MID145-12A3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID145-12A3

14 560⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MID145-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y4-M5" 1.

MID150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB

0.0

КОД:

MID150-12A4

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID150-12A4

34 578⁶⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MID150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.