Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.74

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SKM145GAL176D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM145GAL176D 22890510
20 295.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM145GAL176D 22890510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM145GB066D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 237.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM145GB066D22890045, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM145GB176D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 501.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM145GB176D 22890695, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12F4G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12F4G 22896150
29 987.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12F4G 22896150, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12T4 22892300
16 839.53 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12T4 22892300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12V
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12V 22892301
17 424.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12V 22892301, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAR12F4G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12F4G 22896160
29 987.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12F4G 22896160, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

0.0
SKM150GAR12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12T4 22892400
13 128.85 
Доступность: 23 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12T4 22892400, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

0.0
SKM150GAR12V
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12V 22892403
17 424.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12V 22892403, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

0.0
SKM150GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4 22896062
21 758.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12F4 22896062, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12F4G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4G 22896060
36 569.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12F4G 22896060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12T4 22892040
22 124.90 
Доступность: 50 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4 22892040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12T4G
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
34 192.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4G22892050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12V 22892043
31 084.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12V 22892043, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12VG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12VG 22892052
34 374.70 
Доступность: 11 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12VG 22892052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB17E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4 22895050
20 479.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4 22895050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM150GB17E4G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4G 22895052
42 420.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4G 22895052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM150GM12T4G
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GM12T4G 22892460
34 923.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GM12T4G 22892460, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM195GAL07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL07E3 22895620
15 596.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GAL07E3 22895620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

0.0
SKM195GAL126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL126D 22890470
21 758.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GAL126D 22890470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM195GAR07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAR07E3 22895630
15 596.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GAR07E3 22895630, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

0.0
SKM195GB066D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
19 993.68 
Доступность: 61 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM195GB066D22890052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM195GB07E3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GB07E3 22895610
21 209.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GB07E3 22895610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
SKM195GB126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GB126D 22890630
24 317.79 
Доступность: 26 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM195GB126D 22890630, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)
Хиты продаж