Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 75

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяMG0675S-BN4MM Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 271.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG0675S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяMG100HF12MRC1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 986.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMG100UZ12GJ Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
5 053.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ" 1.

Код производителяMG10P12P2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 688.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А" 1.

Код производителяMG12100S-BN2MM Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
20 373.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMG12150S-BN2MM Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
26 350.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMG12150W-XN2MM Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage W Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
62 426.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG12150W-XN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Код производителяMG12200D-BN2MM Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 274.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG12200D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMG12300D-BN2MM Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
56 310.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG12300D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMG15P12P2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
5 728.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

Код производителяMG17100S-BN4MM Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
31 002.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG17100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяMG1750S-BN4MM Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Обратное напряжение макс.1,7кВ
20 815.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG1750S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяMG1775S-BN4MM Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 728.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG1775S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяMG200HF12MRC2 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 407.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG200HF12MRC2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMG25P12P3 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 807.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG25P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

Код производителяMG35P12P3 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 887.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG35P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

Код производителяMG50U12GJ Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Обратное напряжение макс.1,2кВ
5 053.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG50U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-U" 1.

Код производителяMG50UZ12GJ Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обратное напряжение макс.1,2кВ
5 053.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG50UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-UZ" 1.

Код производителяMG75U12GJ Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
5 053.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG75U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-U" 1.

Код производителяMG75UZ12GJ Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обратное напряжение макс.1,2кВ
5 053.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG75UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-UZ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж