Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 76

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяMID100-12A3 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 160.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А" 1.

Код производителяMID145-12A3 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 741.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID145-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y4-M5" 1.

Код производителяMID150-12A4 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 008.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Код производителяMID200-12A4 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 008.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID200-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Код производителяMID300-12A4 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
40 281.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID300-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Код производителяMID550-12A4 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
53 779.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID550-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Код производителяMIEB100W1200TEH Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обратное напряжение макс.1,2кВ
28 682.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIEB100W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост MOSFET" 1.

Код производителяMIEB101H1200EH Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 853.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIEB101H1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 128А" 1.

Код производителяMIEB101W1200EH Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
45 132.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIEB101W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 128А" 1.

Код производителяMII145-12A3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
20 330.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII145-12A3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMII200-12A4 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
44 709.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII200-12A4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMII300-12A4 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
54 200.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII300-12A4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMII75-12A3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 339.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII75-12A3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMITA300RF1700PTED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack PFP Механический монтажвинтами Обратное напряжение макс.1,7кВ
37 329.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MITA300RF1700PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Trench" 1.

Код производителяMIXA100W1200TEH Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
37 750.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA100W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 108А" 1.

Код производителяMIXA101W1200EH Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 198.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA101W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост MOSFET; XPT™" 1.

Код производителяMIXA10W1200TML Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 828.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA10W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 12А" 1.

Код производителяMIXA10WB1200TED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 142.62 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "MIXA10WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 12А" 1.

Код производителяMIXA10WB1200TML Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
5 693.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA10WB1200TML, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 12А" 1.

Код производителяMIXA150Q1200VA Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 971.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA150Q1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж