Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 74

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяMCMA240UI1600PED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
28 893.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCMA240UI1600PED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMCNA120UI2200PED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 485.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCNA120UI2200PED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

Код производителяMCNA120UI2200TED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
33 320.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCNA120UI2200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

Код производителяMDI100-12A3 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 615.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDI100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А" 1.

Код производителяMDI150-12A4 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 145.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDI150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А" 1.

Код производителяMDI300-12A4 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 620.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDI300-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 220А" 1.

Код производителяMDI550-12A4 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
50 614.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDI550-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 460А" 1.

Код производителяMDI75-12A3 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 561.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDI75-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Код производителяMDMA210UB1600PTED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
26 782.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDMA210UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Код производителяMDMA240UB1600ED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
29 315.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDMA240UB1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMDMA280UB1600PTED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
29 736.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDMA280UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMDMA360UB1600PTED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
34 165.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDMA360UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMDMA450UB1600PTED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
37 029.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDMA450UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMDNA210UB2200PTED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 620.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDNA210UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 28.

Код производителяMDNA280UB2200PTED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
43 233.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDNA280UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяMDNA360UB2200PTED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 577.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MDNA360UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяMG06100S-BN4MM Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
19 929.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG06100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяMG06150S-BN4MM Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 410.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG06150S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяMG06300D-BN4MM Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 853.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG06300D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяMG06400D-BN4MM Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
45 132.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG06400D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж