Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 77

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяMIXA150R1200VA Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 781.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA150R1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; 695Вт" 1.

Код производителяMIXA150W1200TEH Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
46 397.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA150W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Код производителяMIXA151W1200EH Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
30 791.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA151W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Код производителяMIXA20W1200TML Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 474.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA20W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 20А" 1.

Код производителяMIXA20WB1200TED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
18 601.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA20WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

Код производителяMIXA20WB1200TML Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 444.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA20WB1200TML, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

Код производителяMIXA225PF1200TSF Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
32 689.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA225PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMIXA225RF1200TSF Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 426.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA225RF1200TSF, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC" 1.

Код производителяMIXA300PF1200TSF Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
37 540.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA300PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMIXA30W1200TED Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 943.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA30W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

Код производителяMIXA30W1200TML Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 170.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA30W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

Код производителяMIXA30WB1200TED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 946.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA30WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

Код производителяMIXA40W1200TED Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 426.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA40W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Код производителяMIXA40W1200TML Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 161.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA40W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Код производителяMIXA40WB1200TED Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
19 263.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA40WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Код производителяMIXA41W1200ED Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обратное напряжение макс.1,2кВ
21 723.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA41W1200ED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Код производителяMIXA450PF1200TSF Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
46 187.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA450PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяMIXA600PF650TSF Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 307.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA600PF650TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяMIXA60HU1200VA Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 769.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60HU1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,buck chopper; 290Вт" 1.

Код производителяMIXA60W1200TED Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
20 730.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж