Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 80

Производитель
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
0.00 
Нет в наличии
 
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность1,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 352.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 01NAC066V3 25232340, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 043.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NAC066V3 25232320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 02NAC12T4V1 25232530
14 275.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NAC12T4V1 25232530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 4А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
3 097.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NEB066V3 25232300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 10А" 198.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 688.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NEC066V3 25232310, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03AC126V1 25230880
13 398.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03AC126V1 25230880, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 8А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03NAC126V1 25230870
12 334.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NAC126V1 25230870, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 8А" 198.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03NAC12T4V1 25232540
14 275.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NAC12T4V1 25232540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 8А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность3кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 107.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NEB066V3 25232360, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 15А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03NEC066V3 25232410
14 834.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NEC066V3 25232410, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 230.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 04AC066V1 25230690, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 10NAB12T4V1 25231660
14 815.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 10NAB12T4V1 25231660, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 4А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 815.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC126V1 25230030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; P: 4кВт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11AC126V10 25230900
17 278.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC126V10 25230900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 6А; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11AC12T4V1 25231610
15 694.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC12T4V1 25231610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11AC12T7V1 25231880
16 607.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC12T7V1 25231880, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11ACC12T7V1 25232790
23 697.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11ACC12T7V1 25232790, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT x2" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11HEB066V1 25230830
15 879.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11HEB066V1 25230830, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность1,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 066.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11NAB066V1 25230580, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 6А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж