Транзисторы и модули IGBT | купить в розницу и оптом

SEMIX604GB12VS 27890151, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX604GB12VS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12VS 27890151

203 509⁴⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12VS 27890151, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX604GB176HDS 27890520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX604GB176HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB176HDS 27890520

203 715⁹¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB176HDS 27890520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX604GB17E4S 27892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX604GB17E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB17E4S 27892140

224 962¹² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB17E4S 27892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX653GAL176HDS 27890540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX653GAL176HDS

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAL176HDS 27890540

131 018⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAL176HDS 27890540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX653GAR176HDS 27890530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX653GAR176HDS

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAR176HDS 27890530

129 561⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAR176HDS 27890530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX653GB176HDS 27890450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX653GB176HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GB176HDS 27890450

199 967⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX653GB176HDS 27890450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX653GD176HDC

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GD176HDC 27890430

583 237⁶⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX703GB126HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB126HDS 27890700

178 304⁹² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX703GB12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB12M7P 27895801

185 802⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX703GD126HDC 27890735, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX703GD126HDC

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GD126HDC 27890735

504 083³³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX703GD126HDC 27890735, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

SEMIX71GD12E4S 27890190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

SEMIX71GD12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX71GD12E4S 27890190

28 536⁹³ ^₽

Доступность: 9 шт.

Минимальное количество для товара "SEMIX71GD12E4S 27890190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

SEMIX854GB176HDS 27890510, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX854GB176HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX854GB176HDS 27890510

266 622¹⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX854GB176HDS 27890510, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX904GB126HDS 27890720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX904GB126HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX904GB126HDS 27890720

162 410⁰⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX904GB126HDS 27890720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SG40T120DB, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 300Вт; TO247AD

0.0

КОД:

SG40T120DB-SIR

Вид упаковкитуба Время включения143нс Время выключения560нс Заряд затвора170нC КорпусTO247AD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SG40T120DB, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 300Вт; TO247AD" 1.

SG40T120UDB2, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 280Вт; TO247AD

0.0

КОД:

SG40T120UDB2-SIR

Вид упаковкитуба Время включения109нс Время выключения338нс Заряд затвора230нC КорпусTO247AD

710²³ ^₽

Доступность: 58 шт.

Минимальное количество для товара "SG40T120UDB2, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 280Вт; TO247AD" 1.

SG50N60B, Транзистор: IGBT; 600В; 50А; TO247AD

0.0

КОД:

SG50N60B-SIR

Вид упаковкитуба КорпусTO247AD МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер600В Обозначение производителяSG50N60B

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SG50N60B, Транзистор: IGBT; 600В; 50А; TO247AD" 1.

SG50N60DB, Транзистор: IGBT; 600В; 50А; TO247AD

0.0

КОД:

SG50N60DB-SIR

Вид упаковкитуба КорпусTO247AD МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер600В Обозначение производителяSG50N60DB

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SG50N60DB, Транзистор: IGBT; 600В; 50А; TO247AD" 1.

SGB02N120, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,8А; 62Вт; D2PAK

0.0

КОД:

SGB02N120

Вид упаковкибобина Время включения40нс Время выключения375нс КорпусD2PAK МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SGB02N120, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,8А; 62Вт; D2PAK" 1.

SGO600T120UC3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; 62MM

0.0

КОД:

SGO600T120UC3-SIR

Конструкция диодаодиночный транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSGO600T120UC3

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SGO600T120UC3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; 62MM" 1.

SGP23N60UFDTU, Транзистор: IGBT; 600В; 12А; 40Вт; TO220-3

0.0

КОД:

SGP23N60UFDTU

Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В

338⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SGP23N60UFDTU, Транзистор: IGBT; 600В; 12А; 40Вт; TO220-3" 1.

SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3

0.0

КОД:

SK10GD126ET

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 126 ET 24910260

24 371²¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3

0.0

КОД:

SK10GD12T4ET

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 12T4 ET 24914830

21 871²¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

0.0

КОД:

SK100GB066T

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 066 T 24914990

29 787⁸⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SK100GB12T4T

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 12T4 T 24914930

36 245²⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.