Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SKM400GB12E4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
57 530 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB12E4 22892087, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB12F4 22896080
70 489 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB12F4 22896080, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB12T4 22892080
66 759 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB12T4 22892080, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB12V 22892083
65 778 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB12V 22892083, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GB176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB176D 22890710
86 002 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB176D 22890710, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM400GB176DL3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS9 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB176DL3 21920000
186 139 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB176DL3 21920000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM400GB17E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB17E4 22895010
83 842 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB17E4 22895010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM400GM12T4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GM12T4 22892490
66 170 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GM12T4 22892490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM400GM17E4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GM17E4 22895160
84 037 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GM17E4 22895160, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM450GB12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12E4 22892090
72 453 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GB12E4 22892090, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM450GB12E4D1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12E4D1 22892091
75 594 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GB12E4D1 22892091, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM450GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12T4 22892096
72 650 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GB12T4 22892096, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM450GB12T4D1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12T4D1 22892097
75 594 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GB12T4D1 22892097, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM450GM12E4D1
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GM12E4D1 22892140
75 594 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GM12E4D1 22892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM50GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM50GAL12T4 22892290
11 545 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM50GAL12T4 22892290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
SKM50GB12T4
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 733 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM50GB12T422892000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM50GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM50GB12V 22892003
14 374 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM50GB12V 22892003, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM50GD125D
ВерсияD67 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
64 207 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM50GD125D 21918010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

0.0
SKM600GA125D
ВерсияD59 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
79 718 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA125D 21915560, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; D59" 1.

0.0
SKM600GA126D
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA126D 21915720
65 973 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA126D 21915720, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SKM600GA12E4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA12E4 22892114
56 745 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA12E4 22892114, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

0.0
SKM600GA12T4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA12T4 22892110
56 942 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA12T4 22892110, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

0.0
SKM600GA12V
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA12V 22892113
64 402 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA12V 22892113, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

0.0
SKM600GA176D
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA176D 22890432
66 759 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA176D 22890432, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)