Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 78

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 066 ET 24912720
37 355.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 066 ET 24912720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 12T4 T 24914940
24 902.89 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 12T4 T 24914940, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GH 12T4 T 24915220
55 930.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GH 12T4 T 24915220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 MLI 066 24914390
29 189.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 MLI 066 24914390, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 55 DGL 126 24910820
7 980.74 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 55 DGL 126 24910820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GAL 125 24912560
32 661.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 60 GAL 125 24912560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GB 125 2491077024910770
19 086.68 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 60 GB 125 2491077024910770, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GAL 12T4 24915290
6 613.96 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GAL 12T4 24915290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GAR 12T4 24915300
20 391.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GAR 12T4 24915300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GB 066 T 24914980
23 678.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GB 066 T 24914980, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GB 12T4 T 24914920
10 879.61 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GB 12T4 T 24914920, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GBB 066 T 24914760
41 233.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GBB 066 T 24914760, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GD 066 T 24912420
72 056.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GD 066 T 24912420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GD 12T4 T 24914790
92 468.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GD 12T4 T 24914790, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/12-L105 07916600
90 224.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 116/12-L105 07916600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/12-L140 07916640
96 756.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 116/12-L140 07916640, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/16-L105 07916610
100 837.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 116/16-L105 07916610, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/16-L140 07916650
107 983.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 116/16-L140 07916650, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/12-L105 07916620
99 817.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 146/12-L105 07916620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/12-L140 07914300
110 432.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 146/12-L140 07914300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж