Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 81

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяMUBW50-12A8 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
39 016.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW50-12A8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Код производителяMUBW50-12T8 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
21 510.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW50-12T8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

Код производителяMUBW50-17T8 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 094.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW50-17T8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 53А" 1.

Код производителяMUBW75-06A8 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 198.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW75-06A8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 65А" 1.

Код производителяMUBW75-12T8 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
42 391.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW75-12T8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

Код производителяMUBW75-17T8 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
55 888.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW75-17T8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 34А" 1.

Код производителяMWI100-06A8 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
19 528.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI100-06A8, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 88А" 1.

Код производителяMWI100-12A8 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
58 207.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI100-12A8, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 110А" 1.

Код производителяMWI15-12A7 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
20 330.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI15-12A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 20А" 1.

Код производителяMWI150-12T8T Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
67 065.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI150-12T8T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Код производителяMWI200-06A8 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 907.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI200-06A8, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 115А" 1.

Код производителяMWI25-12A7T Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 198.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI25-12A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 35А" 1.

Код производителяMWI30-06A7 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 021.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI30-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

Код производителяMWI30-06A7T Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 526.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI30-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

Код производителяMWI35-12A7 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 464.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI35-12A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 44А" 1.

Код производителяMWI50-12A7 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 485.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI50-12A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

Код производителяMWI50-12A7T Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
29 364.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI50-12A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 3.

Код производителяMWI50-12T7T Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
30 791.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI50-12T7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

Код производителяMWI60-12T6K Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 354.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI60-12T6K, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 41А" 1.

Код производителяMWI75-06A7T Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 946.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI75-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж