Транзисторы и модули IGBT | купить в розницу и оптом

SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX453GB17E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4P 27895404

163 930⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX453GB17E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4S 27892130

168 721⁵⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX453GD12E4C

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD12E4C 27890212

374 939³⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX453GD176HDC

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD176HDC 27890435

445 760⁴² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX453GD17E4C

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD17E4C 27892073

481 170⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2

0.0

КОД:

SEMIX453GM12E4P

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GM12E4P 27895064

146 642⁰⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX503GD126HDC

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX503GD126HDC 27890740

391 602²⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А

0.0

КОД:

SEMIX603GAL066HDS

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL066HDS 27891130

89 361⁷⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А

0.0

КОД:

SEMIX603GAL12E4P

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL12E4P 27895020

141 435⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А

0.0

КОД:

SEMIX603GAL17E4P

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL17E4P 27894420

140 184⁶⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GAR066HDS 27891134, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А

0.0

КОД:

SEMIX603GAR066HDS

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR066HDS 27891134

88 110⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR066HDS 27891134, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GAR12E4P 27895040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А

0.0

КОД:

SEMIX603GAR12E4P

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR12E4P 27895040

141 435⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR12E4P 27895040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GB066HDS 27891132, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB066HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB066HDS 27891132

124 770⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB066HDS 27891132, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12E4I25P 27897010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

0.0

КОД:

SEMIX603GB12E4I25P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4I25P 27897010

197 676¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4I25P 27897010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

0.0

КОД:

SEMIX603GB12E4IP

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4IP 27897000

197 052⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX603GB12E4P 27895000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB12E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4P 27895000

194 343⁷⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4P 27895000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB12E4PV1

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4PV1 27895001

180 178⁰³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12E4SICP 27895300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB12E4SICP

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4SICP 27895300

98 733⁹⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4SICP 27895300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12M7P 27895100

164 764²⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB17E4P 27895400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB17E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4P 27895400

227 046⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4P 27895400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB17E4PV1 27895401, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX603GB17E4PV1

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4PV1 27895401

210 381⁶³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4PV1 27895401, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX604GAL12E4S 27890154, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А

0.0

КОД:

SEMIX604GAL12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAL12E4S 27890154

122 062⁵⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAL12E4S 27890154, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX604GAR12E4S 27890156, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А

0.0

КОД:

SEMIX604GAR12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAR12E4S 27890156

120 813⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAR12E4S 27890156, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX604GB12E4S 27890150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX604GB12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12E4S 27890150

176 638²⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12E4S 27890150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.