Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SKM200GAL125D
ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
44 964 
Доступность: 13 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL125D 22890740, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

0.0
SKM200GAL126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL126D 22890472
35 735 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL126D 22890472, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12E4 22892304
37 699 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12E4 22892304, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12T4 22892320
33 772 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12T4 22892320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12VL2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12VL2 22895560
19 635 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12VL2 22895560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL176D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL176D 22890514
40 448 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL176D 22890514, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GAL17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL17E4 22895110
24 740 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL17E4 22895110, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GAR125D
ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 343 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAR125D 22890565, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 160А" 1.

0.0
SKM200GAR12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAR12E4 22892420
38 681 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAR12E4 22892420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

0.0
SKM200GAR17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAR17E4 22895140
29 453 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAR17E4 22895140, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 248А" 1.

0.0
SKM200GARL066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GARL066T 21915260
68 919 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GARL066T 21915260, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper,термистор NTC" 1.

0.0
SKM200GB125D
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
59 020 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB125D, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB126D 22890631
48 105 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB126D 22890631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB12E422892067
38 207 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB12E422892067, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB12F4 22896050
46 535 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB12F4 22896050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12T4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
34 165 
Доступность: 39 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB12T4 22892060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12V
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
52 032 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB12V 22892064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB176D 22890700
35 873 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB176D 22890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GB17E4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
45 357 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB17E4 22895060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GBD126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GBD126D 22891102
32 791 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GBD126D 22891102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GM12T4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GM12T4 22892470
43 589 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GM12T4 22892470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM200MLI066TAT
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200MLI066TAT 21917820
100 139 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200MLI066TAT 21917820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKM25GAH125D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM25GAH125D 21917990
36 521 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM25GAH125D 21917990, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

0.0
SKM25GD125D
ВерсияD67 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
32 202 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM25GD125D 21918000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 27А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)