Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 89

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM145GAL176D 22890510
22 658.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM145GAL176D 22890510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
18 126.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM145GB066D22890045, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
27 353.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM145GB176D 22890695, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12F4G 22896150
33 476.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12F4G 22896150, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12T4 22892300
18 800.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12T4 22892300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12V 22892301
19 454.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12V 22892301, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12F4G 22896160
33 476.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12F4G 22896160, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12T4 22892400
14 656.50 
Доступность: 19 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12T4 22892400, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12V 22892403
19 454.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12V 22892403, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4 22896062
24 292.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB12F4 22896062, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4G 22896060
40 825.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB12F4G 22896060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12T4 22892040
21 025.68 
Доступность: 56 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4 22892040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
38 171.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4G22892050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12V 22892043
34 702.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB12V 22892043, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12VG 22892052
38 376.40 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB12VG 22892052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4 22895050
22 861.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4 22895050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4G 22895052
47 357.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4G 22895052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GM12T4G 22892460
38 988.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GM12T4G 22892460, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL07E3 22895620
17 412.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM195GAL07E3 22895620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL126D 22890470
24 292.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM195GAL126D 22890470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж