Транзисторы и модули IGBT | купить в розницу и оптом

SKM600GA17E4 22895080, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А; винтами

0.0

КОД:

SKM600GA17E4

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA17E4 22895080

56 032²⁰ ^₽

Доступность: 10 шт.

Минимальное количество для товара "SKM600GA17E4 22895080, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А; винтами" 1.

SKM600GAL126D 21916010, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM600GAL126D

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAL126D 21916010

78 320⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM600GAL126D 21916010, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 3.

SKM600GAL12T4 22892280, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM600GAL12T4

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAL12T4 22892280

64 782²⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM600GAL12T4 22892280, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM600GAR12T4 22892428, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А

0.0

КОД:

SKM600GAR12T4

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAR12T4 22892428

64 782²⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM600GAR12T4 22892428, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А" 1.

SKM600GB066D 21915620, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

0.0

КОД:

SKM600GB066D

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB066D 21915620

78 111⁷⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM600GB066D 21915620, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

SKM600GB07E3 22895570, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

SKM600GB07E3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB07E3 22895570

78 529³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM600GB07E3 22895570, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

SKM600GB126D 22890638, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM600GB126D

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB126D 22890638

102 899⁶² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM600GB126D 22890638, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM600GB12E4 22892092, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM600GB12E4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB12E4 22892092

94 567²³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM600GB12E4 22892092, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM600GB12T4 22892098, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM600GB12T4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB12T4 22892098

96 443¹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM600GB12T4 22892098, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM600GM12E4 22892094, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2

0.0

КОД:

SKM600GM12E4

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GM12E4 22892094

96 233⁹⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM600GM12E4 22892094, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

SKM75GAL063D, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 75А

0.0

КОД:

SKM75GAL063D

ВерсияD61 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

8 332³⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM75GAL063D, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 75А" 1.

SKM75GB12F4 22896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM75GB12F4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM75GB12F4 22896010

16 809⁶⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM75GB12F4 22896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM75GB12T422892010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM75GB12T4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM75GB12T422892010

19 142⁹⁹ ^₽

Доступность: 19 шт.

Минимальное количество для товара "SKM75GB12T422892010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM75GB12V 22892013, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM75GB12V

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

19 767⁰⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM75GB12V 22892013, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM75GB176D 22890850, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

SKM75GB176D

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

17 746²¹ ^₽

Доступность: 33 шт.

Минимальное количество для товара "SKM75GB176D 22890850, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

SKM75GB17E4 22895030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

SKM75GB17E4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM75GB17E4 22895030

20 017⁹⁹ ^₽

Доступность: 31 шт.

Минимальное количество для товара "SKM75GB17E4 22895030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

SKM800GA125D 03071 21915710, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами

0.0

КОД:

SKM800GA125D

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM800GA125D 03071 21915710

138 518⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM800GA125D 03071 21915710, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

SKM800GA126D 22890405, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами

0.0

КОД:

SKM800GA126D

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM800GA126D 22890405

81 445⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM800GA126D 22890405, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

SKM800GA176D 22890435, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 600А; винтами

0.0

КОД:

SKM800GA176D

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM800GA176D 22890435

85 820⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM800GA176D 22890435, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

SKM900GA12E4 22892130, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами

0.0

КОД:

SKM900GA12E4

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM900GA12E4 22892130

77 905³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM900GA12E4 22892130, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами" 1.

SKYPER 12 PRESS-FIT 300A/1200V L5066601, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC; 15A

0.0

КОД:

SKYPER12300A1200V

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток15А Класс напряжения1,2кВ КорпусSKYPER® МонтажPCB

97 484⁸⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKYPER 12 PRESS-FIT 300A/1200V L5066601, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC; 15A" 1.

SKYPER 12 PRESS-FIT 450A/1200V L5066602, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC; 15A

0.0

КОД:

SKYPER12450A1200V

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток15А Класс напряжения1,2кВ КорпусSKYPER® МонтажPCB

121 856⁰⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKYPER 12 PRESS-FIT 450A/1200V L5066602, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC; 15A" 1.

SKYPER 12 PRESS-FIT 450A/1700V L5066604, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC; 15A

0.0

КОД:

SKYPER12450A1700V

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток15А Класс напряжения1,7кВ КорпусSKYPER® МонтажPCB

124 770⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKYPER 12 PRESS-FIT 450A/1700V L5066604, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC; 15A" 1.

SKYPER 12 PRESS-FIT 600A/1200V L5066603, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC; 15A

0.0

КОД:

SKYPER12600A1200V

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток15А Класс напряжения1,2кВ КорпусSKYPER® МонтажPCB

121 856⁰⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKYPER 12 PRESS-FIT 600A/1200V L5066603, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC; 15A" 1.