Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

IRF8313TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9,7А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

IRF8313TRPBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

Свяжитесь с нами насчёт цены

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IRF8313TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9,7А; 2Вт; SO8" 1.

IRF8910TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

IRF8910TRPBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В

‍141‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IRF8910TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8" 1.

IRF9389TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

IRF9389TRPBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍94‍ ₽

Доступность: 1044 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IRF9389TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8" 1.

IRL6372TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8

0.0

КОД:

IRL6372TRPBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

‍93‍ ₽

Доступность: 3969 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IRL6372TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8" 1.

MCQD08N03A-TP, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,4А; Idm: 34А; 2,35Вт; SOP8

0.0

КОД:

MCQD08N03A-TP

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусSOP8 МонтажSMD

‍86‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "MCQD08N03A-TP, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,4А; Idm: 34А; 2,35Вт; SOP8" 1.

MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс

0.0

КОД:

MKE38P600LB

Вид каналаобогащенный Время готовности660нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD

8 112 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс" 1.

MMBT7002DW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

0.0

КОД:

MMBT7002DW-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍34‍ ₽

Доступность: 210 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "MMBT7002DW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт" 1.

MMBT7002KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD

0.0

КОД:

MMBT7002KDW-AQ-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSOT363

‍25‍ ₽

Доступность: 2875 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "MMBT7002KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD" 1.

MMBT7002KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD

0.0

КОД:

MMBT7002KDW-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSOT363

‍29‍ ₽

Доступность: 1740 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "MMBT7002KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD" 1.

MMFT8472DW, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-50В; 0,115/-0,13А; 0,2Вт

0.0

КОД:

MMFT8472DW-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍40‍ ₽

Доступность: 3319 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "MMFT8472DW, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-50В; 0,115/-0,13А; 0,2Вт" 1.

MMFTC6333, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,5/-2А; Idm: 8÷-8А

0.0

КОД:

MMFTC6333-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7нC КорпусSOT26 МонтажSMD

‍83‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "MMFTC6333, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,5/-2А; Idm: 8÷-8А" 1.

MMFTC6420, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А

0.0

КОД:

MMFTC6420-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD

‍140‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "MMFTC6420, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А" 1.

MMFTN6190KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363

0.0

КОД:

MMFTN6190KDW-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSOT363

‍28‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "MMFTN6190KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363" 5.

MMFTN620KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD

0.0

КОД:

MMFTN620KDW-AQ-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD

‍53‍ ₽

Доступность: 3000 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "MMFTN620KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD" 1.

MMFTN620KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD

0.0

КОД:

MMFTN620KDW-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD

‍28‍ ₽

Доступность: 2453 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "MMFTN620KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD" 1.

MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А

0.0

КОД:

MMIX2F60N50P3

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора96нC КорпусSMPD МонтажSMD

6 443 ₽

Доступность: 20 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А" 1.

NDC7001C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

0.0

КОД:

NDC7001C

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/2,2нC КорпусSuperSOT-6

‍86‍ ₽

Доступность: 1248 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NDC7001C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

NDC7002N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

0.0

КОД:

NDC7002N

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD

‍64‍ ₽

Доступность: 3274 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NDC7002N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

NDC7003P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -0,34А; 0,96Вт; SuperSOT-6

0.0

КОД:

NDC7003P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD

‍55‍ ₽

Доступность: 3000 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NDC7003P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -0,34А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

NDS9948, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

NDS9948

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍175‍ ₽

Доступность: 1602 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NDS9948, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8" 1.

NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6

0.0

КОД:

NTGD1100LT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍157‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6" 1.

NTGD3148NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; 0,9Вт; TSOP6

0.0

КОД:

NTGD3148NT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

‍110‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTGD3148NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; 0,9Вт; TSOP6" 1.

NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

0.0

КОД:

NTGD4167CT1G

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD

‍112‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

NTHC5513T1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

0.0

КОД:

NTHC5513T1G

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусChipFET

‍256‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTHC5513T1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.