Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 25

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы многоканальные
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом типа P
Фильтры товаров
Тип транзистора
Полярность
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Усиление
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
FDS9934C
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC Код производителяFDS9934C
159.80 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8
0.0
FDS9945
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяFDS9945 КорпусSO8
102.98 ₽
Доступность: 274 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8" 1.

FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8
0.0
FDS9958
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяFDS9958 КорпусSO8
75.99 ₽
Доступность: 1487 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8" 1.

FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F
0.0
FDY1002PZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяFDY1002PZ КорпусSOT563F
95.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F" 1.

FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А
0.0
FMM150-0075X2F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности66нс Заряд затвора178нC Код производителяFMM150-0075X2F
3 645.60 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А" 1.

FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А
0.0
FMM22-05PF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора50нC Код производителяFMM22-05PF
3 453.13 ₽
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А" 1.

FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А
0.0
FMM22-06PF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора58нC Код производителяFMM22-06PF
3 137.78 ₽
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А" 1.

FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс
0.0
FMM50-025TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности84нс Заряд затвора78нC Код производителяFMM50-025TF
3 135.65 ₽
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс" 1.

FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс
0.0
FMM75-01F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности300нс Заряд затвора180нC Код производителяFMM75-01F
3 265.63 ₽
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс" 1.

FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8
0.0
FQS4901TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC Код производителяFQS4901TF КорпусSO8
198.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8" 1.

HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8
0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяHP8KA1TB Конструкция диодаобщий сток
231.53 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В
0.0
HP8M31TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,3/38нC
95.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 2500.

HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А
0.0
HP8M51TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,2нC Код производителяHP8M51TB1 КорпусHSOP8
71.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А" 2500.

HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт
0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC Код производителяHP8MA2TB1 КорпусHSOP8
273.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт
0.0
HS8K11TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C Код производителяHS8K11TB КорпусuDFN8
134.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт
0.0
HS8K1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC Код производителяHS8K1TB КорпусuDFN8
116.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт
0.0
IPG20N04S408
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC Код производителяIPG20N04S408ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
313.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт
0.0
IPG20N04S409
Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC Код производителяIPG20N04S409ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
137.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

IPG20N04S4L11ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А
0.0
IPG20N04S4L11ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPG20N04S4L11ATMA1 КорпусPG-TDSON-8-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S4L11ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А" 1.

IPG20N10S4L35ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 100В; 17А; Idm: 80А
0.0
IPG20N10S4L35ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPG20N10S4L35ATMA1 КорпусPG-TDSON-8-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N10S4L35ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 100В; 17А; Idm: 80А" 1.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж