Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.22

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
PMGD780SN.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,05нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
58.50 
Доступность: 1349 шт.
+

Минимальное количество для товара "PMGD780SN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт" 1.

0.0
PSMN013-40VLDX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,4нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD
174.70 
Доступность: 1500 шт.
+

Минимальное количество для товара "PSMN013-40VLDX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 30А; Idm: 169А" 1.

0.0
PSMN4R2-40VSHX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD
374.70 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "PSMN4R2-40VSHX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 69,5А; 85Вт" 1.

0.0
QH8JA1TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
202.37 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QH8JB5TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
227.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QH8JB5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QH8JC5TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
264.82 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт" 1.

0.0
QH8K26TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусTSMT8
154.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QH8K26TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7А; Idm: 18А; 2,6Вт; TSMT8" 1.

0.0
QH8KA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
52.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QH8KA2TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QH8KA4TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSMT8
239.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QH8KA4TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QH8M22TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,6/9,5нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
139.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QH8M22TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 4,5/-2А; Idm: 18А; 1,5Вт" 1.

0.0
QH8MA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8/8,4нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
143.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QH8MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-3А; Idm: 12А; 1,5Вт" 1.

0.0
QH8MA3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/10нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
136.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-5,5А; Idm: 18А; 2,5Вт" 1.

0.0
QH8MA4TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5/19,6нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
202.37 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт" 1.

0.0
QS5K2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Конструкция диодаобщий источник
143.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25" 1.

0.0
QS6J11TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTSMT6
113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6J1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусTSMT6
113.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6J1TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт" 1.

0.0
QS6K1FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
80.63 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6K1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6
127.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6K21FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
128.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6K21TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
148.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6M4TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
107.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6" 1.

0.0
QS8J13TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTSMT8
186.56 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт" 1.

0.0
QS8J2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTSMT8
218.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QS8J4TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8
203.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)
Хиты продаж