Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 44

Фильтры товаров
Тип транзистора
Полярность
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Усиление
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/79нC Код производителяSIZ980BDT-T1-GE3 МонтажSMD
157.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ980BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/77нC Код производителяSIZ980DT-T1-GE3 МонтажSMD
151.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ980DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/44,3нC Код производителяSIZ998DT-T1-GE3 МонтажSMD
143.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ998DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/62нC Код производителяSIZF300DT-T1-GE3 МонтажSMD
123.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49/200нC Код производителяSIZF906ADT-T1-GE3 МонтажSMD
148.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF906ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49/200нC Код производителяSIZF906DT-T1-GE3 МонтажSMD
198.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF906DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/98нC Код производителяSIZF914DT-T1-GE3 МонтажSMD
169.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF914DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/95нC Код производителяSIZF916DT-T1-GE3 МонтажSMD
149.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF916DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/56нC Код производителяSIZF918DT-T1-GE3 МонтажSMD
151.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSP8J5FRATB
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8J5FRATB, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SO8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,4нC Код производителяSP8K24FRATB
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K24FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 6А; Idm: 24А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC Код производителяSP8K31FRATB
129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K31FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC Код производителяSP8K31HZGTB
303.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K31HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяSP8K32HZGTB
317.47 
Доступность: 1318 шт.
 

Минимальное количество для товара "SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSP8K33FRATB
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K33FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5А; Idm: 20А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSP8K33HZGTB
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K33HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5А; Idm: 20А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC Код производителяSP8K52FRATB
238.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K52FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4/8,5нC Код производителяSP8M10FRATB КорпусSOP8
138.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8M10FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,4/20нC Код производителяSP8M21FRATB КорпусSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8M21FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 45/-45В; 6/-4А; Idm: 16÷24А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9/5,5нC Код производителяSP8M6FRATB КорпусSOP8
129.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8M6FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5/-3,5А; Idm: 14÷20А; 2Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж