Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 37

Фильтры товаров
Тип транзистора
Полярность
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Усиление
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Код производителяSI4542DY КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4542DY, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63/20нC Код производителяSI4554DY-T1-GE3 КорпусSO8
173.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4554DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-8А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/20нC Код производителяSI4559ADY-T1-E3 КорпусSO8
88.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4559ADY-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/22нC Код производителяSI4559ADY-T1-GE3 КорпусSO8
184.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4559ADY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31/63нC Код производителяSI4564DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4564DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-7,4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/11,6нC Код производителяSI4590DY-T1-GE3 КорпусSO8
128.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4590DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-2,7А; 2,3/2,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38/20нC Код производителяSI4599DY-T1-GE3 КорпусSO8
187.50 
Доступность: 2292 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4599DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 6,8/-5,8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI4670DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4670DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSI4804CDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4804CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10/18нC Код производителяSI4816BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4816BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; полевой; 30В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10/18нC Код производителяSI4816BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4816BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; полевой; 30В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI4900DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4900DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI4900DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4900DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC Код производителяSI4904DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4904DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC Код производителяSI4904DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4904DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяSI4922BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4922BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 35А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяSI4922BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4922BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 35А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4925BDY-T1-E3 КорпусSO8
226.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4925BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4925DDY-T1-GE3 КорпусSO8
220.88 
Доступность: 1394 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяSI4931DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4931DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,9А; 2Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж