Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.126

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
IXTY4N65X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности160нс Заряд затвора8,3нC КорпусTO252
445.85 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY4N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 4А; 80Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY8N65X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC КорпусTO252
335.18 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY8N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 8А; 150Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY8N70X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC КорпусTO252
562.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY8N70X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 8А; 150Вт; TO252; 200нс" 1.

0.0
LGE2300-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусSOT23 МонтажSMD
7.11 
Доступность: 11259 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2300, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23" 20.

0.0
LGE2302-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
8.70 
Доступность: 2350 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2302, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,35Вт; SOT23" 20.

0.0
LGE2304-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
7.11 
Доступность: 2030 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2304, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 0,35Вт; SOT23" 20.

0.0
LGE2312-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
17.39 
Доступность: 6000 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23" 10.

0.0
LGE3M160120E
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 524.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт" 1.

0.0
LGE3M80120J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 992.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7" 1.

0.0
LND01K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-5 МонтажSMD Напряжение сток-исток
114.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND01K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5" 1.

0.0
LND150K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
170.75 
Доступность: 2330 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт" 1.

0.0
LND150N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
131.23 
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 1,6Вт" 1.

0.0
LND250K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
101.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND250K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт; SOT23-3" 3.

0.0
LSIC1MO120T0080-TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора95нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
4 037.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0080-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; TO263-7" 1.

0.0
LSIC1MO120T0120-TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 849.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0120-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; TO263-7" 1.

0.0
LSIC1MO120T0160-TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора57нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 928.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0160-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 22А; TO263-7" 1.

0.0
MCB20P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
14 153.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB20P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B" 1.

0.0
MCB30P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
36 420.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB30P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B" 1.

0.0
MCB40P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
56 072.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB40P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B" 1.

0.0
MCB60I1200TZ-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160C КорпусTO268AAHV МонтажSMD
27 225.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60I1200TZ-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; TO268AAHV" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж