Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.129

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
RF4E080BNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
107.51 
Доступность: 2954 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080BNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

0.0
RF4E080GNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
104.35 
Доступность: 2990 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

0.0
RF4E100AJTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
97.23 
Доступность: 2830 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

0.0
RF4E110GNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
66.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4E110GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

0.0
RF6E045AJTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,1нC КорпусSOT363T МонтажSMD
92.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF6E045AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1Вт; SOT363T" 1.

0.0
RFD12N06RLESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
178.66 
Доступность: 1440 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD12N06RLESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK" 1.

0.0
RFD14N05LSM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
143.08 
Доступность: 191 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD14N05LSM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

0.0
RFD14N05LSM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
142.29 
Доступность: 1583 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD14N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

0.0
RFD14N05SM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
80.63 
Доступность: 5229 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD14N05SM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

0.0
RFD16N05LSM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусDPAK МонтажSMD
190.51 
Доступность: 2217 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD16N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 16А; 60Вт; DPAK" 1.

0.0
RFD16N06LESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусDPAK МонтажSMD
245.06 
Доступность: 137 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD16N06LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; 90Вт; DPAK" 1.

0.0
RFD3055LESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,3нC КорпусDPAK МонтажSMD
96.44 
Доступность: 2499 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD3055LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11А; 38Вт; DPAK" 1.

0.0
RHK003N06FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSMT3 МонтажSMD
80.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3" 1.

0.0
RHP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
58.50 
Доступность: 670 шт.
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 3.

0.0
RHP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RHP030N03T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
158.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RHU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусUMT3 МонтажSMD
66.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

0.0
RHU003N03FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
36.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3" 1.

0.0
RJK005N03FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSMT3 МонтажSMD
63.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3" 1.

0.0
RJP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
146.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RJP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
127.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RJU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
46.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

0.0
RJU003N03FRAT106
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
47.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD" 1.

0.0
RK7002AT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSST3 МонтажSMD
15.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3" 10.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж