Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.155

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIRA50ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
270.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA50ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 175А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIRA50DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора194нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
295.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA50DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIRA52ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
232.41 
Доступность: 2985 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA52ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 105А; Idm: 200А" 1.

0.0
SIRA52DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
294.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA54DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
156.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA58ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
210.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA58ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA58DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
175.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA60DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
240.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA60DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIRA62DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
243.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA62DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

0.0
SIRA64DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
192.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA64DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIRA72DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
210.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA72DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA74DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
192.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA74DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 64,2А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA80DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
254.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA80DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 268А; Idm: 500А" 1.

0.0
SIRA84BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
87.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA84BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 56А; Idm: 150А; 23Вт" 1.

0.0
SIRA84DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
97.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA84DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 57,8А; Idm: 130А" 1.

0.0
SIRA88BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
88.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA88BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

0.0
SIRA88DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
67.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA88DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 36,4А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIRA90DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
284.58 
Доступность: 2417 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA90DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIRA90DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
278.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA90DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIRA96DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
92.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA96DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А" 1.

0.0
SIRC06DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
170.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRC06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

0.0
SIRC10DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
198.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRC10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

0.0
SIRC16DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
241.90 
Доступность: 2937 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRC16DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А" 1.

0.0
SIRC18DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
237.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRC18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж