Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.167

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI9926CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусSO8 МонтажSMD
234.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
SI9945BDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
159.68 
Доступность: 4930 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9945BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А; 2Вт; SO8" 5.

0.0
SIA106DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
74.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA106DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

0.0
SIA108DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
69.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA108DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 12А; Idm: 30А; 19Вт" 3000.

0.0
SIA110DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
87.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA110DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 12А; Idm: 20А; 19Вт" 3000.

0.0
SIA112LDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
63.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA112LDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 8,8А; Idm: 10А" 6000.

0.0
SIA400EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
98.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA400EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 1.

0.0
SIA414DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
81.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA414DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

0.0
SIA430DJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
40.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA430DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 12А; Idm: 40А" 3000.

0.0
SIA432DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
102.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA432DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 3000.

0.0
SIA436DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
55.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA436DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 12А; Idm: 50А; 19Вт" 3000.

0.0
SIA440DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
79.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA440DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт" 1.

0.0
SIA446DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
139.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA446DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 7,7А; Idm: 10А; 12Вт" 1.

0.0
SIA456DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
133.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA456DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт" 1.

0.0
SIA462DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
25.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA462DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

0.0
SIA466EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
56.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA466EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIA468DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
48.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA468DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 37,8А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIA472EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
44.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA472EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 3000.

0.0
SIAA00DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
60.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA00DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIAA02DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
42.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA02DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 52А; Idm: 100А; 19Вт" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж