Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.174

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIHFBF30S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
324.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBF30S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,3А; Idm: 14А; 125Вт" 1.

0.0
SIHFR010-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR010-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 8,2А; Idm: 33А; 25Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR014TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR014TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,9А; Idm: 31А; 25Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR024-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
177.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR024-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR110-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR110-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR110TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR110TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR110TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR110TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR120-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
147.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR120-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR120TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR120TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR120TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR120TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR1N60A-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
91.70 
Доступность: 79 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHFR1N60A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,98А; 36Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR1N60ATRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR1N60ATRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 890мА; Idm: 5,6А; 36Вт" 1.

0.0
SIHFR210TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR210TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 1,7А; Idm: 10А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR220TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Доступность: 2925 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHFR220TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3А; Idm: 19А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR310-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR310-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 1,1А; Idm: 6А; 25Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR310TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR310TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 1,1А; Idm: 6А; 25Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR320-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR320-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2А; Idm: 12А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR320TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
210.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR320TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2А; Idm: 12А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR420-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR420-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR420A-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
153.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR420A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,1А; Idm: 10А; 83Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж