Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.184

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIR826LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора91нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
150.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 86А; Idm: 200А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR846ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
205.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR846BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
159.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR846DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
238.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR862DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR862DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR870ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
322.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR870BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
237.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR870DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
267.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR872ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
216.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR872ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR872DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
233.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR872DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR876ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
151.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR876ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 40А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR876BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
115.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR876BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 51,4А; Idm: 120А" 3000.

0.0
SIR880ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
169.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR880ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR880DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
219.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR880DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR882ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
422.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 1.

0.0
SIR882BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
147.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 67,5А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR882DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
238.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 3000.

0.0
SIRA00DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,22мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
349.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIRA02DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
207.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA02DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIRA04DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
234.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA04DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж