Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.194

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SQJ486EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
210.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ486EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 17А; 56Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJ858AEP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
213.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ858AEP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJ868EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
82.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ868EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 58А; Idm: 230А; 48Вт" 3000.

0.0
SQJA16EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
143.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJA16EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 278А; Idm: 575А" 3000.

0.0
SQJQ130EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора455нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
365.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ130EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 445А; Idm: 445А" 2000.

0.0
SQJQ184E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора272нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
455.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ184E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 430А; Idm: 1200А" 2000.

0.0
SQM100N04-2M7-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора95,5нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
452.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM100N04-2M7_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 98А; 157Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SQM120N06-3M5L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
664.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM120N06-3M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SQM120N10-3M8-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора125нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
694.07 
Доступность: 220 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM120N10-3M8_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SQS142ENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
69.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS142ENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 110А; Idm: 271А" 3000.

0.0
SQSA82CENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
46.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQSA82CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 12А; Idm: 35А; 27Вт" 3000.

0.0
SQSA84CENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
46.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQSA84CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 16А; Idm: 54А; 27Вт" 3000.

0.0
SSM3K15AFSLFB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD
12.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3K15AFS,LF(B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,1А; 100мВт; SC75; ESD" 10.

0.0
SSM3K15AFS
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD
45.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3K15AFS,LF(T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,1А; 100мВт; SC75; ESD" 5.

0.0
SSM3K15AFU
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70 МонтажSMD
20.55 
Доступность: 15975 шт.
 

Минимальное количество для товара "SSM3K15AFU,LF(T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,1А; 150мВт; SC70; ESD" 5.

0.0
SSM3K16FU
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70 МонтажSMD
25.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3K16FU(TE85L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,1А; 150мВт; SC70; ESD" 5.

0.0
SSM3K324R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT23F
25.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3K324R,LF(T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1Вт; SOT23F; ESD" 5.

0.0
SSM3K329R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSOT23F
25.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3K329R,LF(B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 1Вт; SOT23F; ESD" 5.

0.0
SSM3K333R
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC КорпусSOT23F МонтажSMD
25.30 
Доступность: 1710 шт.
 

Минимальное количество для товара "SSM3K333R,LF(B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6А; 1Вт; SOT23F" 5.

0.0
SSM3K339R
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC КорпусSOT23F МонтажSMD
25.30 
Доступность: 9051 шт.
 

Минимальное количество для товара "SSM3K339R, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2А; 1Вт; SOT23F" 5.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж