Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 212

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
PJE138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт; SOT523
0.0
PJE138K-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC Код производителяPJE138K_R1_00001 КорпусSOT523
34.01 ₽
Доступность: 514 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJE138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт; SOT523" 1.

PJE8402_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 700мА; Idm: 2,8А; 300мВт; SOT523
0.0
PJE8402-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC Код производителяPJE8402_R1_00001 КорпусSOT523
78.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJE8402_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 700мА; Idm: 2,8А; 300мВт; SOT523" 1.

PJE8408_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523
0.0
PJE8408-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяPJE8408_R1_00001 КорпусSOT523
26.36 ₽
Доступность: 3480 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJE8408_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523" 1.

PJMB210N65EC_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 19А; Idm: 42А; 150Вт; TO263
0.0
PJMB210N65EC-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяPJMB210N65EC_R2_00601 КорпусTO263
494.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMB210N65EC_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 19А; Idm: 42А; 150Вт; TO263" 1.

PJMB390N65EC_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO263
0.0
PJMB390N65EC-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяPJMB390N65EC_R2_00601 КорпусTO263
480.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMB390N65EC_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO263" 1.

PJMB390N65EC_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO263
0.0
PJMB390N65EC-T0
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC Код производителяPJMB390N65EC_T0_00601 КорпусTO263
254.25 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMB390N65EC_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO263" 1.

PJMD280N60E1_L2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252AA
0.0
PJMD280N60E1-L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяPJMD280N60E1_L2_00601 КорпусTO252AA МонтажSMD
244.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD280N60E1_L2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252AA" 1.

PJMD360N60EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 23А; 87,5Вт; TO252AA
0.0
PJMD360N60EC-L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,7нC Код производителяPJMD360N60EC_L2_00001 КорпусTO252AA
321.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD360N60EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 23А; 87,5Вт; TO252AA" 1.

PJMD390N65EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO252AA
0.0
PJMD390N65EC-L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяPJMD390N65EC_L2_00001 КорпусTO252AA
277.21 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD390N65EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO252AA" 1.

PJMD580N60E1_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 24А; 54Вт; TO252AA
0.0
PJMD580N60E1-L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяPJMD580N60E1_L2_00001 КорпусTO252AA
148.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD580N60E1_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 24А; 54Вт; TO252AA" 1.

PJMD600N65E1_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; Idm: 21,9А; 54Вт; TO252AA
0.0
PJMD600N65E1-L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяPJMD600N65E1_L2_00001 КорпусTO252AA
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD600N65E1_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; Idm: 21,9А; 54Вт; TO252AA" 1.

PJMD900N60EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 9,7А; 47,5Вт; TO252AA
0.0
PJMD900N60EC-L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,8нC Код производителяPJMD900N60EC_L2_00001 КорпусTO252AA
213.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD900N60EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 9,7А; 47,5Вт; TO252AA" 1.

PJMD990N65EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 9,5А; 47,5Вт
0.0
PJMD990N65EC-L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,7нC Код производителяPJMD990N65EC_L2_00001 КорпусTO252AA
107.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD990N65EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 9,5А; 47,5Вт" 1.

PJQ1908-AU_R1_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN1006-3
0.0
PJQ1908-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяPJQ1908-AU_R1_002A1 КорпусDFN1006-3 МонтажSMD
60.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ1908-AU_R1_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN1006-3" 1.

PJQ1908_R1_00201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN1006-3
0.0
PJQ1908-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяPJQ1908_R1_00201 КорпусDFN1006-3 МонтажSMD
54.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ1908_R1_00201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN1006-3" 1.

PJQ2460-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 12,8А; 2,4Вт
0.0
PJQ2460-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,3нC Код производителяPJQ2460-AU_R1_000A1 МонтажSMD
59.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ2460-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 12,8А; 2,4Вт" 1.

PJQ4524P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8
0.0
PJQ4524P-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяPJQ4524P-AU_R2_002A1 КорпусDFN8 МонтажSMD
176.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4524P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

PJQ4526P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8
0.0
PJQ4526P-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяPJQ4526P-AU_R2_002A1 КорпусDFN8 МонтажSMD
141.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4526P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

PJQ4528P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8
0.0
PJQ4528P-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяPJQ4528P-AU_R2_002A1 КорпусDFN8 МонтажSMD
141.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4528P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

PJQ4530P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8
0.0
PJQ4530P-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяPJQ4530P-AU_R2_002A1 КорпусDFN8 МонтажSMD
79.08 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4530P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж