Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 212

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT523 МонтажSMD
31.35 
Доступность: 1819 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJE138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт; SOT523" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусSOT523 МонтажSMD
62.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJE8402_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 700мА; Idm: 2,8А; 300мВт; SOT523" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT523 МонтажSMD
21.41 
Доступность: 3825 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJE8408_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTO263 МонтажSMD
383.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMB210N65EC_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 19А; Idm: 42А; 150Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTO263 МонтажSMD
411.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMB390N65EC_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC КорпусTO263 МонтажSMD
206.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMB390N65EC_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252AA МонтажSMD Обозначение производителяPJMD280N60E1_L2_00601
197.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD280N60E1_L2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,7нC КорпусTO252AA МонтажSMD
259.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD360N60EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 23А; 87,5Вт; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTO252AA МонтажSMD
223.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD390N65EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусTO252AA МонтажSMD
120.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD580N60E1_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 24А; 54Вт; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTO252AA МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD600N65E1_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; Idm: 21,9А; 54Вт; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,8нC КорпусTO252AA МонтажSMD
163.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD900N60EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 9,7А; 47,5Вт; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,7нC КорпусTO252AA МонтажSMD
84.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD990N65EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 9,5А; 47,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ1908-AU_R1_002A1
48.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ1908-AU_R1_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN1006-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ1908_R1_00201
44.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ1908_R1_00201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN1006-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
47.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ2460-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 12,8А; 2,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ4524P-AU_R2_002A1
142.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4524P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ4526P-AU_R2_002A1
113.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4526P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ4528P-AU_R2_002A1
113.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4528P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ4530P-AU_R2_002A1
64.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4530P-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж