Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.239

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
YJL3400A-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
7.91 
Доступность: 13440 шт.
 

Минимальное количество для товара "YJL3400A, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 23А" 20.

0.0
YJL3404A-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
7.91 
Доступность: 4560 шт.
 

Минимальное количество для товара "YJL3404A, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 30А" 20.

0.0
YJM04N10A-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT223 МонтажSMD
15.81 
Доступность: 220 шт.
 

Минимальное количество для товара "YJM04N10A, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 100В; 3,2А; 2,5Вт" 10.

0.0
YJQ35G10A-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDFN3.3x3.3 МонтажSMD
42.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJQ35G10A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт" 3.

0.0
YJQ35N04A-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусDFN3.3x3.3 МонтажSMD
28.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJQ35N04A, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; 40В; 23А; Idm: 120А" 5.

0.0
YJS03N10A-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,2нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
22.13 
Доступность: 14880 шт.
 

Минимальное количество для товара "YJS03N10A, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; полевой; 100В; 2,4А; 1,5Вт" 10.

0.0
YJS05N15B-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,6нC КорпусSOP8 МонтажSMD
45.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJS05N15B, Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 150В; 2,9А; SOP8" 3.

0.0
YJS12G06A-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусSOP8 МонтажSMD
41.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJS12G06A, Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 7,5А; SOP8" 3.

0.0
YJS12N10A-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусSOP8 МонтажSMD
126.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJS12N10A, Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 100В; 7,6А; SOP8" 1.

0.0
ZVN0545GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
154.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZVN0545GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,14А; Idm: 0,6А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZVN2106G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
128.85 
Доступность: 27 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN2106GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,7А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZVN2106GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
163.64 
Доступность: 635 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN2106GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,7А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZVN2110GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
177.08 
Доступность: 955 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN2110GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,5А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZVN3306FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
101.19 
Доступность: 1902 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN3306FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 3А; 0,33Вт; SOT23" 1.

0.0
ZVN3310FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
116.21 
Доступность: 2633 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN3310FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,1А; 0,33Вт; SOT23" 1.

0.0
ZVN3320FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
77.47 
Доступность: 2992 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN3320FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,06А; 0,33Вт; SOT23" 1.

0.0
ZVN4206GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
192.09 
Доступность: 970 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN4206GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZVN4310GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
268.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZVN4310GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,67А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
ZVN4424GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±40В
180.24 
Доступность: 122 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN4424GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223" 1.

0.0
ZVN4525E6TA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±40В
158.10 
Доступность: 242 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN4525E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,23А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж