Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.240

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
ZVNL110GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
178.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZVNL110GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,5А; 1,1Вт; SOT223" 1.

0.0
ZVNL120GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.82 
Доступность: 965 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVNL120GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,32А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZXM61N02FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
91.70 
Доступность: 2226 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXM61N02FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; 0,625Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXM61N03FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
30.83 
Доступность: 3369 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXM61N03FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,1А; 0,625Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN10A07F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
67.19 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN10A07FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
83.00 
Доступность: 1472 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN10A07ZTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
105.93 
Доступность: 1659 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07ZTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89" 1.

0.0
ZXMN10A09KTC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
328.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A09KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,1А; 4,31Вт; TO252" 1.

0.0
ZXMN10A11GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
161.26 
Доступность: 303 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A11GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZXMN10A11KTC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
118.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A11KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; 4,06Вт; TO252" 1.

0.0
ZXMN10A25GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
216.60 
Доступность: 971 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A25GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZXMN10B08E6TA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
154.94 
Доступность: 280 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10B08E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26" 1.

0.0
ZXMN2A01FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
82.21 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN2A03E6TA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
187.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A03E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,4А; 1,1Вт; SOT26" 1.

0.0
ZXMN2A14FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
90.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A14FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,3А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN2B01FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
90.12 
Доступность: 2790 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2B01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; Idm: 11,8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN2F30FHQTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
81.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F30FHQTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN2F30FHTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
64.03 
Доступность: 2898 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F30FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN2F34FHTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
51.38 
Доступность: 738 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F34FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,9А; 0,95Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN3A01FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
74.31 
Доступность: 4665 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,6А; 0,806Вт; SOT23" 1.

Показать еще 16 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж