Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 248

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI4100DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4100DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 6,8А; Idm: 20А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSI4114DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4114DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 20А; Idm: 50А; 5,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSI4114DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4114DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 20А; Idm: 50А; 5,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSI4116DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4116DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 18А; Idm: 50А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSI4116DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4116DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 18А; Idm: 50А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSI4122DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4122DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 27,2А; Idm: 70А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSI4124DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4124DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 20,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSI4124DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4124DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 20,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяSI4126DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4126DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 39А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC Код производителяSI4128DY-T1-GE3 КорпусSO8
179.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4128DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,7А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC Код производителяSI4134DY-T1-GE3 КорпусSO8
204.43 
Доступность: 1952 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4134DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,2А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSI4136DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4136DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 46А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяSI4154DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4154DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 36А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI4156DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4156DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 70А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC Код производителяSI4160DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4160DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25,4А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,8нC Код производителяSI4162DY-T1-GE3 КорпусSO8
213.80 
Доступность: 467 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4162DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15,4А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSI4164DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4164DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 70А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC Код производителяSI4166DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4166DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,5А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSI4168DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSI4174DY-T1-GE3 КорпусSO8
155.88 
Доступность: 160 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4174DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж