Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 251

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSI4800BDY-T1-E3 КорпусSO8
124.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4800BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSI4800BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4800BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC Код производителяSI4838BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4838BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 34А; Idm: 70А; 5,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяSI4838DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4838DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 25А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4840BDY-T1-E3 КорпусSO8
322.83 
Доступность: 1680 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4840BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 9,9А; 6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4840BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4840BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 19А; Idm: 50А; 3,8Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSI4842BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4842BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 28А; Idm: 60А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC Код производителяSI4848ADY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4848ADY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 5,5А; Idm: 20А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSI4848DY-T1-E3 КорпусSO8
273.42 
Доступность: 1718 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4848DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 3,7А; Idm: 25А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSI4848DY-T1-GE3 КорпусSO8
404.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4848DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 3,7А; Idm: 25А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI4850BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4850BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 11,3А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSI4850EY-E3 КорпусSO8
166.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7,1А; 3,3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSI4850EY-T1-E3 КорпусSO8
374.79 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,5А; Idm: 40А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSI4850EY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI4862DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4862DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 16В; 25А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI4864DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4864DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI4874BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4874BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI4890DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4890DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 11А; Idm: 50А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSI4894BDY-T1-E3 КорпусSO8
92.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4894BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,5А; 2,5Вт; SO8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSI4894BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4894BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 2,5Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж