Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 303

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTO252 МонтажSMD
226.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD70090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTO252 МонтажSMD
79.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD80460E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42А; Idm: 40А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO252 МонтажSMD
139.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD90330E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,8А; Idm: 70А" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора57,6нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
483.18 
Доступность: 650 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM10250E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 36,6А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
633.03 
Доступность: 381 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110N10-09-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 87А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора230нC КорпусTO263 МонтажSMD
382.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40010EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 120А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора195нC КорпусTO263 МонтажSMD
272.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40012EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 150А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора275нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
385.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40014M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 200А; Idm: 400А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусTO263 МонтажSMD
359.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM45N25-58-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 45А; Idm: 90А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора212нC КорпусTO263 МонтажSMD
379.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50010E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC КорпусTO263 МонтажSMD
365.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусTO263 МонтажSMD
337.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора227нC КорпусTO263 МонтажSMD
345.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусTO263 МонтажSMD
434.25 
Доступность: 600 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM60N10-17-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
585.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM65N20-30-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 65А; Idm: 140А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора214нC КорпусTO263 МонтажSMD
406.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70030E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора214нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
373.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70030M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора76нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
374.62 
Доступность: 771 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM70040E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусTO263-7 МонтажSMD
348.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70040M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTO263 МонтажSMD
316.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70042E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 200А" 800.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж