Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 303

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSUD70090E-GE3 КорпусTO252
277.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD70090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSUD80460E-GE3 КорпусTO252
97.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD80460E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42А; Idm: 40А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSUD90330E-GE3 КорпусTO252
170.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD90330E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,8А; Idm: 70А" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора57,6нC Код производителяSUM10250E-GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
674.62 
Доступность: 645 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM10250E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 36,6А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC Код производителяSUM110N10-09-E3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
715.50 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110N10-09-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 87А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора230нC Код производителяSUM40010EL-GE3 КорпусTO263
468.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40010EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 120А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора195нC Код производителяSUM40012EL-GE3 КорпусTO263
337.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40012EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 150А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора275нC Код производителяSUM40014M-GE3 КорпусTO263-7
471.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40014M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 200А; Idm: 400А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC Код производителяSUM45N25-58-E3 КорпусTO263
440.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM45N25-58-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 45А; Idm: 90А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора212нC Код производителяSUM50010E-GE3 КорпусTO263
465.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50010E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC Код производителяSUM50020E-GE3 КорпусTO263
448.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC Код производителяSUM50020EL-GE3 КорпусTO263
413.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора227нC Код производителяSUM60020E-GE3 КорпусTO263
427.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSUM60N10-17-E3 КорпусTO263
704.43 
Доступность: 560 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM60N10-17-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяSUM65N20-30-E3 КорпусD2PAK, TO263
993.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM65N20-30-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 65А; Idm: 140А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора214нC Код производителяSUM70030E-GE3 КорпусTO263
498.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70030E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора214нC Код производителяSUM70030M-GE3 КорпусTO263-7
457.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70030M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора76нC Код производителяSUM70040E-GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
571.55 
Доступность: 771 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM70040E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC Код производителяSUM70040M-GE3 КорпусTO263-7
427.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70040M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSUM70042E-GE3 КорпусTO263
387.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70042E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 200А" 800.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж