Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 304

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SUM70060E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 131А; Idm: 240А
0.0
SUM70060E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяSUM70060E-GE3 КорпусTO263
260.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70060E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 131А; Idm: 240А" 800.

SUM70090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А
0.0
SUM70090E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSUM70090E-GE3 КорпусTO263
287.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А" 800.

SUM80090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 128А; Idm: 240А; 125Вт
0.0
SUM80090E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSUM80090E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
532.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM80090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 128А; Idm: 240А; 125Вт" 1.

SUM85N15-19-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 85А; Idm: 180А
0.0
SUM85N15-19-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSUM85N15-19-E3 КорпусTO263
579.22 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM85N15-19-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 85А; Idm: 180А" 800.

SUM90100E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 150А; Idm: 250А
0.0
SUM90100E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSUM90100E-GE3 КорпусTO263
518.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90100E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 150А; Idm: 250А" 800.

SUM90140E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 75А; 125Вт; D2PAK,TO263
0.0
SUM90140E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора64нC Код производителяSUM90140E-GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
635.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90140E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 75А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

SUM90142E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 90А; Idm: 240А
0.0
SUM90142E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC Код производителяSUM90142E-GE3 КорпусTO263
462.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90142E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 90А; Idm: 240А" 800.

SUM90220E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 64А; Idm: 100А
0.0
SUM90220E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSUM90220E-GE3 КорпусTO263
346.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90220E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 64А; Idm: 100А" 800.

SUM90330E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,1А; Idm: 70А
0.0
SUM90330E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSUM90330E-GE3 КорпусTO263
196.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90330E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,1А; Idm: 70А" 800.

SUM90N03-2M2P-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 90А; Idm: 200А
0.0
SUM90N03-2M2P-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора257нC Код производителяSUM90N03-2M2P-E3 КорпусTO263
399.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90N03-2M2P-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 90А; Idm: 200А" 800.

SUM90N10-8M2P-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 90А; Idm: 240А; 300Вт
0.0
SUM90N10-8M2P-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSUM90N10-8M2P-E3 КорпусD2PAK, TO263
938.67 ₽
Доступность: 326 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM90N10-8M2P-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 90А; Idm: 240А; 300Вт" 1.

T2N7002AK,LM(T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,76А; 320мВт; SOT23
0.0
T2N7002AK
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35нC Код производителяT2N7002AK,LM(T
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "T2N7002AK,LM(T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,76А; 320мВт; SOT23" 1.

T2N7002BK,LM(T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,4А; Idm: 1,2А; 320мВт; SOT23
0.0
T2N7002BK
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,39нC Код производителяT2N7002BK,LM(T
18.74 ₽
Доступность: 11727 шт.
 

Минимальное количество для товара "T2N7002BK,LM(T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,4А; Idm: 1,2А; 320мВт; SOT23" 5.

TK110P10PL,RQ(S2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 160А; 75Вт; DPAK
0.0
TK110P10PL
Вид каналаобогащенный Код производителяTK110P10PL,RQ(S2 КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
171.21 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TK110P10PL,RQ(S2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 160А; 75Вт; DPAK" 1.

TK11P65W,RQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,1А; 100Вт; DPAK
0.0
TK11P65W
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяTK11P65W,RQ(S КорпусDPAK
657.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TK11P65W,RQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,1А; 100Вт; DPAK" 1.

TK12P60W.RVQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11,5А; 100Вт; DPAK
0.0
TK12P60W
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяTK12P60W.RVQ(S КорпусDPAK
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TK12P60W.RVQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11,5А; 100Вт; DPAK" 1.

TK13P25D,RQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 13А; 96Вт; DPAK
0.0
TK13P25D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяTK13P25D,RQ(S КорпусDPAK
165.25 ₽
Доступность: 1613 шт.
 

Минимальное количество для товара "TK13P25D,RQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 13А; 96Вт; DPAK" 1.

TK160F10N1L,LQ(O, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 375Вт; TO220SM
0.0
TK160F10N1L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора121нC Код производителяTK160F10N1L,LQ(O КорпусTO220SM
751.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TK160F10N1L,LQ(O, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 375Вт; TO220SM" 1.

TK20G60W,RVQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 165Вт; D2PAK
0.0
TK20G60W
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяTK20G60W,RVQ(S КорпусD2PAK
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TK20G60W,RVQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 165Вт; D2PAK" 1.

TK20P04M1,RQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 27Вт; DPAK
0.0
TK20P04M1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяTK20P04M1,RQ(S КорпусDPAK
151.62 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TK20P04M1,RQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 27Вт; DPAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж