Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 322

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
87.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM08N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 7А; 70Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
97.86 
Доступность: 612 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM09N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 6А; 45Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
97.86 
Доступность: 618 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM09N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 6А; 45Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
84.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM09N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 5,3А; 45Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
97.86 
Доступность: 573 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
97.86 
Доступность: 574 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM10N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 8А; 57Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
105.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM10N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 7,5А; 57Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM10N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM115N15HG4
175.84 
Доступность: 95 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM115N15HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
113.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
97.86 
Доступность: 557 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM11N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 9А; 63Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
119.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 8А; 63Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
125.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM120N04TS
110.09 
Доступность: 81 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM120N04TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
163.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
85.63 
Доступность: 575 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM13N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 13А; 130Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
88.69 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM14N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 11А; 85Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусTO263 МонтажSMD
154.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM14N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 85Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
120.80 
Доступность: 233 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM14N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 11А; 85Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусTO263 МонтажSMD
197.25 
Доступность: 490 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM15N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж