Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 327

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
108.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N50C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 16А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
64.22 
Доступность: 1589 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
104.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
109.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
132.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
124.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N70C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 700В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
140.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N70EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 700В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
94.80 
Доступность: 2140 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO10N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO115N15HG4
151.38 
Доступность: 45 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO115N15HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO119N12LG4
112.39 
Доступность: 96 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO119N12LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
65.75 
Доступность: 2044 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
122.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 9А; 63Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,7нC КорпусTO252 МонтажSMD
124.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N65SR, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; полевой; 650В; 5,4А; Idm: 19А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
99.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 8А; 63Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,7нC КорпусTO252 МонтажSMD
136.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N70SR, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; полевой; 700В; 5,4А; Idm: 19А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
116.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO120N04TS
107.03 
Доступность: 498 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO120N04TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
310.40 
Доступность: 1094 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO13N10TS
74.16 
Доступность: 626 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO13N10TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
109.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO13N50C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 500В; 6А; Idm: 25А; 57Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж