Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 336

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
XP151A13A0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD
0.0
XP151A13A0MR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
120.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP151A13A0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD" 1.

XP161A11A1PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD
0.0
XP161A11A1PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
112.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A11A1PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

XP161A1265PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD
0.0
XP161A1265PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
146.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A1265PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

XP161A1355PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD
0.0
XP161A1355PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
136.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A1355PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

XP222N03015R-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,35Вт; SOT523
0.0
XP222N03015R-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT523 МонтажSMD
12.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP222N03015R-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,35Вт; SOT523" 10.

XP223N1001TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3; ESD
0.0
XP223N1001TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
12.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP223N1001TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3; ESD" 10.

XP233N0501TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
0.0
XP233N0501TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
25.99 ₽
Доступность: 469 шт.
 

Минимальное количество для товара "XP233N0501TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3" 1.

XP234N0801TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,8А; Idm: 1,6А; 0,4Вт; SOT23-3
0.0
XP234N0801TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
23.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP234N0801TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,8А; Idm: 1,6А; 0,4Вт; SOT23-3" 1.

XP235N2001TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 4А; 0,4Вт; SOT23-3; ESD
0.0
XP235N2001TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
53.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP235N2001TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 4А; 0,4Вт; SOT23-3; ESD" 1.

XP261N70023R-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 0,3А; 0,35Вт; SOT323
0.0
XP261N70023R-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD
25.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP261N70023R-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 0,3А; 0,35Вт; SOT323" 1.

XP262N7002TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,4Вт; SOT23-3
0.0
XP262N7002TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
28.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP262N7002TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,4Вт; SOT23-3" 1.

XP263N1001TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3; ESD
0.0
XP263N1001TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
68.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP263N1001TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3; ESD" 1.

XP264N0301TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,4Вт; SOT23-3
0.0
XP264N0301TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
19.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP264N0301TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,4Вт; SOT23-3" 1.

YJ2N60CP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
0.0
YJ2N60CP-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусTO252 МонтажSMD
24.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJ2N60CP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2А; Idm: 8А; 44Вт; TO252" 5.

YJ2N65CP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
0.0
YJ2N65CP-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусTO252 МонтажSMD
24.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJ2N65CP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 8А; 44Вт; TO252" 5.

YJ4N60CP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 51Вт; TO252
0.0
YJ4N60CP-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTO252 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJ4N60CP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 51Вт; TO252" 1.

YJ4N65CP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 16А; 51Вт; TO252
0.0
YJ4N65CP-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTO252 МонтажSMD
41.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJ4N65CP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 16А; 51Вт; TO252" 3.

YJB150G06AK, Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 95А; 59Вт
0.0
YJB150G06AK-YAN
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусTO263
107.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJB150G06AK, Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 95А; 59Вт" 1.

YJD15N10A, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 100В; 10,5А; TO252
0.0
YJD15N10A-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTO252 МонтажSMD
26.76 ₽
Доступность: 7900 шт.
 

Минимальное количество для товара "YJD15N10A, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 100В; 10,5А; TO252" 10.

YJD20N06A, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 60В; 14А; Idm: 60А
0.0
YJD20N06A-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусTO252 МонтажSMD
34.40 ₽
Доступность: 12140 шт.
 

Минимальное количество для товара "YJD20N06A, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 60В; 14А; Idm: 60А" 5.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж