Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 339

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
80.28 
Доступность: 527 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07FTA, Транзистор N-канальный MOSFET; полевой; 100 В; 0,8 А; 0,625 Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
102.45 
Доступность: 1659 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07ZTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
318.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A09KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,1А; 4,31Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
155.96 
Доступность: 303 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A11GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
114.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A11KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; 4,06Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
209.48 
Доступность: 971 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A25GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
149.85 
Доступность: 72 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10B08E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
79.51 
Доступность: 1500 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
181.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A03E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,4А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
87.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A14FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,3А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
87.16 
Доступность: 2405 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2B01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; Idm: 11,8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
78.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F30FHQTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
61.93 
Доступность: 2898 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F30FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
49.69 
Доступность: 738 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F34FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,9А; 0,95Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
71.87 
Доступность: 4147 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,6А; 0,806Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
148.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A03E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,6А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
91.74 
Доступность: 2748 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A14FQTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
25.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3B01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 9,4А; 0,625Вт; SOT23" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
90.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3B14FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
74.16 
Доступность: 745 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3F30FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,7А; 0,95Вт; SOT23" 1.

Показать еще 16 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж