Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 338

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,2нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
21.41 
Доступность: 14695 шт.
 

Минимальное количество для товара "YJS03N10A, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; полевой; 100В; 2,4А; 1,5Вт" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,6нC КорпусSOP8 МонтажSMD
44.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJS05N15B, Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 150В; 2,9А; SOP8" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусSOP8 МонтажSMD
39.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJS12G06A, Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 7,5А; SOP8" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусSOP8 МонтажSMD
122.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJS12N10A, Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 100В; 7,6А; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
149.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZVN0545GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,14А; Idm: 0,6А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
124.62 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN2106GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,7А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
158.26 
Доступность: 635 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN2106GTA, Транзистор N-канальный MOSFET; полевой; 60 В; 0,7 А; 2 Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
171.25 
Доступность: 909 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN2110GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,5А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
97.86 
Доступность: 1400 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN3306FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 3А; 0,33Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
112.39 
Доступность: 1130 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN3310FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,1А; 0,33Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
74.92 
Доступность: 2862 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN3320FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,06А; 0,33Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
185.78 
Доступность: 854 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN4206GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
259.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZVN4310GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,67А; 3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±40В
174.31 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN4424GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±40В
152.91 
Доступность: 2842 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVN4525E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,23А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
172.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZVNL110GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,5А; 1,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
175.84 
Доступность: 325 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZVNL120GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,32А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
88.69 
Доступность: 1611 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXM61N02FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
29.82 
Доступность: 2073 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXM61N03FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,1А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.98 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж