Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 35

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0910NDIATMA1 КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0910NDIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0911NDATMA1 КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0911NDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0923NDIATMA1 КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0923NDIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0924NDIATMA1 КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0924NDIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0925NDATMA1 КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0925NDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 30Вт; PG-TISON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC093N04LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
143.71 
Доступность: 3105 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC093N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC097N06NSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
53.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC097N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 46А; 36Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC098N10NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC098N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,8нC Код производителяBSC100N03MSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
50.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; Idm: 176А; 30Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC Код производителяBSC100N06LS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
258.50 
Доступность: 3235 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC105N10LSFGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC105N10LSFGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 90А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC109N10NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC109N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 63А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC110N06NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
56.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC110N15NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC117N08NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC117N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 49А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC118N10NSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC118N10NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 71А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC120N03LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
127.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 33А; 28Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC120N03MSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 28Вт; PG-TDSON-8" 3.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC123N08NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
153.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC123N10LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC123N10LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 71А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж