Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 42

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
BSS806NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
0.0
BSS806NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSS806NH6327XTSA1 КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
63.78 ₽
Доступность: 10835 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS806NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23" 1.

BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323
0.0
BSS816NWH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSS816NWH6327XTSA1 КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
42.52 ₽
Доступность: 1520 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323" 1.

BSS87,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,2А; 580мВт; SC62,SOT89
0.0
BSS87.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяBSS87,115 КорпусSC62, SOT89
95.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS87,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,2А; 580мВт; SC62,SOT89" 1.

BSS87H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,26А; 1Вт; SOT89-4
0.0
BSS87H6327FTSA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSS87H6327FTSA1 КорпусSOT89-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
102.89 ₽
Доступность: 736 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS87H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,26А; 1Вт; SOT89-4" 1.

BST82,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,19А; 830мВт; SOT23,TO236AB
0.0
BST82.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяBST82,215 КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
79.08 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BST82,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,19А; 830мВт; SOT23,TO236AB" 1.

BST82,235, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,12А; Idm: 0,8А; 0,83Вт
0.0
BST82.235
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяBST82,235 КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BST82,235, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,12А; Idm: 0,8А; 0,83Вт" 1.

BSZ014NE2LS5IFATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ014NE2LS5IFATMA
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ014NE2LS5IFATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ014NE2LS5IFATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ018NE2LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ018NE2LSATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
188.78 ₽
Доступность: 4947 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ018NE2LSIATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ018NE2LSIATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
403.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ019N03LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ019N03LSATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
252.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ025N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ025N04LSATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
254.25 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ028N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ028N04LSATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
261.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ034N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ034N04LSATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
70.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ035N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ035N03LSGATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
291.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ035N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ035N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ035N03MSGATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ035N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ036NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 37Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ036NE2LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ036NE2LSATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ036NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 37Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ040N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ040N04LSGATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
251.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ042N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ042N06NSATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
150.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ0506NSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ0506NSATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ050N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ050N03LSGATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
100.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж